IS64WV51216BLL-10MA3 - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS64WV51216BLL-10MA3
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Asynchronous
Размер памяти	8Mb (512K x 16)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	10ns
Время доступа	10ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.4 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	48-TFBGA
Пакет устройств поставщика	48-miniBGA (9x11)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS64WV51216BLL-10CTLA3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS64WV51216BLL-10MA3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS64WV51216BLL-10MA3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS64WV51216BLL-10MLA3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS64WV51216BLL-10MLA3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS64WV51216EDBLL-10BLA3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48BGA	подробности
IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48BGA	подробности
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	подробности