IS61WV51216EEBLL-10B2LI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61WV51216EEBLL-10B2LI
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Asynchronous
Размер памяти	8Mb (512K x 16)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	10ns
Время доступа	10ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.4V ~ 3.6V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	48-TFBGA
Пакет устройств поставщика	48-TFBGA (6x8)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61WV51216BLL-10MLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS61WV51216BLL-10MLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS61WV51216BLL-10TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS61WV51216BLL-10TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS61WV51216EDALL-20BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA	подробности
IS61WV51216EDALL-20BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA	подробности
IS61WV51216EDALL-20TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP	подробности
IS61WV51216EDALL-20TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP	подробности
IS61WV51216EDBLL-10BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48BGA	подробности
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 8MBIT 10NS 48BGA	подробности