IS61WV25616EDALL-20BLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61WV25616EDALL-20BLI
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Asynchronous
Размер памяти	4Mb (256K x 16)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	20ns
Время доступа	20ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.65V ~ 2.2V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	48-TFBGA
Пакет устройств поставщика	48-TFBGA (6x8)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61WV25616AL-10TLI	ISSI	IS61WV25616AL-10TLI ISSI TSOP New Original Stocks	подробности
IS61WV25616BLL-10BI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS61WV25616BLL-10BI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS61WV25616BLL-10BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS61WV25616BLL-10BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS61WV25616BLL-10KLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	подробности
IS61WV25616BLL-10KLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44SOJ	подробности
IS61WV25616BLL-10TL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS61WV25616BLL-10TL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS61WV25616BLL-10TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP	подробности