IS61WV12816EDBLL-10TLI - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61WV12816EDBLL-10TLI
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Asynchronous
Размер памяти	2Mb (128K x 16)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	10ns
Время доступа	10ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.4 V ~ 3.6 V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Пакет устройств поставщика	44-TSOP2 (10.2x18.4)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61WV12816BLL-12TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 2MBIT 12NS 44TSOP	подробности
IS61WV12816BLL-12TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 2MBIT 12NS 44TSOP	подробности
IS61WV12816DBLL-10BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 2MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 2MBIT 10NS 48MINIBGA	подробности
IS61WV12816DBLL-10TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS61WV12816DBLL-10TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS61WV12816EDBLL-10TLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS61WV12816EDBLL-10TLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 2MBIT 10NS 44TSOP	подробности
IS61WV12824-8BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA	подробности
IS61WV12824-8BL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA	подробности