IS61NVF51236-7.5B3 - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61NVF51236-7.5B3
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Synchronous
Размер памяти	18Mb (512K x 36)
Частота часов	117MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	7.5ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.375V ~ 2.625V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	165-TBGA
Пакет устройств поставщика	165-TFBGA (13x15)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61NVF102418-6.5B3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NVF102418-6.5B3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NVF102418-6.5B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NVF102418-6.5B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NVF102418-7.5B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NVF102418-7.5B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NVF25672-6.5B1	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA	подробности
IS61NVF25672-6.5B1-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA	подробности
IS61NVF25672-6.5B1I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA	подробности
IS61NVF25672-6.5B1I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA	подробности