IS61NLP51236-200B3 - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61NLP51236-200B3
Статус детали	Obsolete
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Synchronous
Размер памяти	18Mb (512K x 36)
Частота часов	200MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	3.1ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	3.135 V ~ 3.465 V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	165-TFBGA
Пакет устройств поставщика	165-TFBGA (13x15)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61NLF102418-6.5B3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLF102418-6.5B3-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLF102418-6.5B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLF102418-6.5B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLF102418-6.5TQ	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 6.5NS 100TQFP	подробности
IS61NLF102418-6.5TQ-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 6.5NS 100TQFP	подробности
IS61NLF102418-7.5B3I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLF102418-7.5B3I-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA	подробности
IS61NLF102418-7.5TQLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 7.5NS 100TQFP	подробности
IS61NLF102418-7.5TQLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18MBIT 7.5NS 100TQFP	подробности