IS61DDB21M18A-300B4L - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS61DDB21M18A-300B4L
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Synchronous, DDR II
Размер памяти	18Mb (1M x 18)
Частота часов	300MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.71 V ~ 1.89 V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	165-LBGA
Пакет устройств поставщика	165-LFBGA (13x15)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS61DDB21M18A-300B4L	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 18MBIT 300MHZ 165BGA	подробности
IS61DDB21M18A-300M3L	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 18MBIT 300MHZ 165BGA	подробности
IS61DDB21M18C-250M3L	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ	подробности
IS61DDB21M36-250M3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA	подробности
IS61DDB21M36-250M3L	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 36MBIT 250MHZ 165BGA	подробности
IS61DDB21M36-275M3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 36MBIT 275MHZ 165BGA	подробности
IS61DDB21M36A-250M3L	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 36MBIT 250MHZ 165BGA	подробности
IS61DDB21M36C-250M3L	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA	подробности
IS61DDB21M36C-300M3	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 36MBIT 275MHZ 165FBGA	подробности
IS61DDB21M36C-300M3L	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA	подробности