IS42RM32100D-6BLI-TR - ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

номер части	IS42RM32100D-6BLI-TR
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	DRAM
Технологии	SDRAM - Mobile
Размер памяти	32Mb (1M x 32)
Частота часов	166MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	5.5ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.3V ~ 2.7V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	90-TFBGA
Пакет устройств поставщика	90-TFBGA (8x13)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IS42RM32100D-6BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ	подробности
IS42RM32100D-6BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 32M PARALLEL 166MHZ	подробности
IS42RM32100D-75BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ	подробности
IS42RM32100D-75BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC DRAM 32M PARALLEL 133MHZ	подробности
IS42RM32160C-75BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA	подробности
IS42RM32160C-75BL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA	подробности
IS42RM32160C-75BLI	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA	подробности
IS42RM32160C-75BLI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA	подробности
IS42RM32160E-75BL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA	подробности
IS42RM32160E-75BL-TR	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 90BGA	подробности