70T651S10DR - IDT, Integrated Device Technology Inc

номер части	70T651S10DR
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	SRAM
Технологии	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Размер памяти	9Mb (256K x 36)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	10ns
Время доступа	10ns
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.4 V ~ 2.6 V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	208-BFQFP
Пакет устройств поставщика	208-PQFP (28x28)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
70T631S10BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 256CABGA	подробности
70T631S10BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 256CABGA	подробности
70T631S10BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA	подробности
70T631S10BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA	подробности
70T631S12BCI	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 256CABGA	подробности
70T631S12BCI8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 256CABGA	подробности
70T631S12BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 208CABGA	подробности
70T631S12BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 12NS 208CABGA	подробности
70T631S15BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 15NS 208CABGA	подробности
70T631S15BF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 15NS 208CABGA	подробности