SPW11N60C3FKSA1 - Infineon Technologies

номер части	SPW11N60C3FKSA1
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1200pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-3
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPW1102	SUNTAK	SPW1102 SUNTAK MSOP8 New Original Stocks	подробности
SPW11N60C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO-247	подробности
SPW11N60C3FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO-247	подробности
SPW11N60CFD	INFINEON	SPW11N60CFD INFINEON TO3P New Original Stocks	подробности
SPW11N60CFDFKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO-247	подробности
SPW11N60S5FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 11A TO-247	подробности
SPW11N80C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 11A TO-247	подробности
SPW11N80C3FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 11A TO-247	подробности