SPP08N50C3XKSA1 - Infineon Technologies

номер части	SPP08N50C3XKSA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	560V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	7.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	32nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	750pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	83W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4.6A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-3-1
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPP08N50C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB	подробности
SPP08N80C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB	подробности
SPP08N80C3XK	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB	подробности
SPP08N80C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB	подробности
SPP08P06	INF	SPP08P06 INF TO-220 New Original Stocks	подробности
SPP08P06P	ORIGINAL	SPP08P06P ORIGINAL TO220 New Original Stocks	подробности
SPP08P06PBKSA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB	подробности
SPP08P06PH	I	SPP08P06PH I TO-220.. New Original Stocks	подробности
SPP08P06PHXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220	подробности