SPI100N03S2-03 - Infineon Technologies

номер части	SPI100N03S2-03
Статус детали	Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	150nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	7020pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 80A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO262-3-1
Упаковка / чехол	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPI100N03S2-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK	подробности
SPI100N03S2L-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TO-262	подробности
SPI100N03S2L03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TO-262	подробности
SPI100N08S2-07	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK	подробности
SPI10N10	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK	подробности
SPI10N10L	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK	подробности