SPI08N50C3XKSA1 - Infineon Technologies

номер части	SPI08N50C3XKSA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	560V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	7.6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	32nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	750pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	83W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4.6A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO262-3-1
Упаковка / чехол	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPI08N50C3HKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262	подробности
SPI08N50C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262	подробности
SPI08N80C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 8A TO-262	подробности
SPI08N80C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 8A TO-262	подробности