SPB11N60C3 - Infineon Technologies

номер части	SPB11N60C3
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	60nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1200pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 7A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPB10045E3	Microsemi Corporation	DIODE MODULE 45V 100A SOT227	подробности
SPB100N03S2-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	подробности
SPB100N03S2-03 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	подробности
SPB100N03S2-03G	I	SPB100N03S2-03G I SOT404 New Original Stocks	подробности
SPB100N03S203T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	подробности
SPB100N03S2L-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	подробности
SPB100N03S2L-03 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	подробности
SPB100N03S2L03T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	подробности
SPB100N04S2-04	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	подробности
SPB100N04S2L-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK	подробности