SPA11N80C3XKSA1 - Infineon Technologies

номер части	SPA11N80C3XKSA1
Статус детали	Not For New Designs
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	800V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 680µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	85nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1600pF @ 100V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	34W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-FP
Упаковка / чехол	TO-220-3 Full Pack
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SPA11N60C3	INF	SPA11N60C3 INF TO-220.. New Original Stocks	подробности
SPA11N60C3IN	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP	подробности
SPA11N60C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3	подробности
SPA11N60CFD	INFINEON	SPA11N60CFD INFINEON TO220F New Original Stocks	подробности
SPA11N60CFDXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3	подробности
SPA11N65C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 11A TO-220	подробности
SPA11N80C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP	подробности
SPA11N80C3PB-FREE	INFINEON	SPA11N80C3PB-FREE INFINEON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
SPA11N80C3XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP	подробности
SPA11N80C3XKSA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 800V 11A TO220	подробности