• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › PTFB201402FCV1R250XTMA1
PTFB201402FCV1R250XTMA1

PTFB201402FCV1R250XTMA1 - Infineon Technologies

номер части
PTFB201402FCV1R250XTMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IC AMP RF LDMOS
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
PTFB201402FCV1R250XTMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
426 pcs
Справочная цена
USD 63.7/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку PTFB201402FCV1R250XTMA1

PTFB201402FCV1R250XTMA1 Подробное описание

номер части PTFB201402FCV1R250XTMA1
Статус детали Active
Тип транзистора LDMOS (Dual)
частота 2.02GHz
Усиление 16dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг -
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 500mA
Выходная мощность 20W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол H-37248-4
Пакет устройств поставщика H-37248-4
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ PTFB201402FCV1R250XTMA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
PTFB201402FC-V1-R250 PTFB201402FC-V1-R250 Cree/Wolfspeed IC AMP RF LDMOS подробности
PTFB201402FCV1R250XTMA1 PTFB201402FCV1R250XTMA1 Infineon Technologies IC AMP RF LDMOS подробности