• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › PTFA210601EV4R250FTMA1
PTFA210601EV4R250FTMA1

PTFA210601EV4R250FTMA1 - Infineon Technologies

номер части
PTFA210601EV4R250FTMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
PTFA210601EV4R250FTMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
PTFA210601EV4R250FTMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4066 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку PTFA210601EV4R250FTMA1

PTFA210601EV4R250FTMA1 Подробное описание

номер части PTFA210601EV4R250FTMA1
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 2.14GHz
Усиление 16dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 10µA
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 550mA
Выходная мощность 12W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол 2-Flatpack, Fin Leads
Пакет устройств поставщика H-36265-2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ PTFA210601EV4R250FTMA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
PTFA210601EV4R250FTMA1 PTFA210601EV4R250FTMA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 подробности
PTFA210601EV4XWSA1 PTFA210601EV4XWSA1 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 подробности
PTFA210601F V4 PTFA210601F V4 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 подробности
PTFA210601F V4 R250 PTFA210601F V4 R250 Infineon Technologies IC FET RF LDMOS 60W H-37265-2 подробности