IRG7U50HF12A - Infineon Technologies

номер части	IRG7U50HF12A
Статус детали	Obsolete
Тип IGBT	-
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100A
Мощность - макс.	310W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	6nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	POWIR® 34 Module
Пакет устройств поставщика	POWIR® 34
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IRG7CH11K10EF	Infineon Technologies	IGBT 1200V DIE	подробности
IRG7CH20K10EF	Infineon Technologies	IGBT 1200V DIE	подробности
IRG7CH23K10EF	Infineon Technologies	IGBT 1200V DIE	подробности
IRG7CH28UED	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	подробности
IRG7CH28UEF	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	подробности
IRG7CH30K10EF	Infineon Technologies	IGBT CHIP WAFER	подробности
IRG7CH35UED	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	подробности
IRG7CH35UEF	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	подробности
IRG7CH37K10EF	Infineon Technologies	IGBT CHIP WAFER	подробности
IRG7CH42UED	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	подробности