IRG7T100HF12A - Infineon Technologies

номер части	IRG7T100HF12A
Статус детали	Obsolete
Тип IGBT	-
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	200A
Мощность - макс.	575W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	13.7nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	POWIR® 34 Module
Пакет устройств поставщика	POWIR® 34
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IRG7T100HF12A	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34	подробности
IRG7T100HF12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62	подробности
IRG7T150CH12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62	подробности
IRG7T150CL12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62	подробности
IRG7T150HF12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 150A POWIR 62	подробности
IRG7T15FF12Z	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 15A 6PK EZIRPACK1	подробности
IRG7T200CH12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62	подробности
IRG7T200CL12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62	подробности
IRG7T200HF12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 200A POWIR 62	подробности
IRG7T300CH12B	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 300A POWIR 62	подробности