| номер части | IRF540NLPBF |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 33A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 130W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет устройств поставщика | TO-262 |
| Упаковка / чехол | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | подробности |
|
IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | подробности |
 |
IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | подробности |
 |
IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | подробности |
|
IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | подробности |
 |
IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
|
IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | подробности |
