IPN60R2K1CEATMA1 Подробное описание
| номер части |
IPN60R2K1CEATMA1 |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
3.7A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 60µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
6.7nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
140pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) |
±20V |
| Функция FET |
Super Junction |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
5W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
2.1 Ohm @ 800mA, 10V |
| Рабочая Температура |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
PG-SOT223 |
| Упаковка / чехол |
SOT-223-3 |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPN60R2K1CEATMA1
