| номер части | IPL65R1K0C6SATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4.2A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 328pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 34.7W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | Thin-PAK (5x6) |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL65R070C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL65R099C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL65R130C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON | подробности |
|
IPL65R165CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL65R165CFDAUMA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | подробности |
|
IPL65R190E6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL65R195C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL65R1K0C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | подробности |
|
IPL65R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TSON | подробности |
|
IPL65R210CFDAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
