IPL65R1K0C6SATMA1

IPL65R1K0C6SATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPL65R1K0C6SATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 8TSON
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPL65R1K0C6SATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPL65R1K0C6SATMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
48927 pcs
Справочная цена
USD 0.5268/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPL65R1K0C6SATMA1

IPL65R1K0C6SATMA1 Подробное описание

номер части IPL65R1K0C6SATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 650V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 4.2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 328pF @ 100V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 34.7W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика Thin-PAK (5x6)
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPL65R1K0C6SATMA1