| номер части | IPL60R065P7AUMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 650V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 41A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 15.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 2895pF @ 400V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 201W (Tc) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-VSON-4 |
| Упаковка / чехол | 4-PowerTSFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPL60R060CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | подробности |
|
IPL60R065C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | подробности |
|
IPL60R065P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL60R075CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL60R085P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL60R095CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | подробности |
|
IPL60R104C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON | подробности |
|
IPL60R105P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 4VSON | подробности |
|
IPL60R115CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | подробности |
|
IPL60R125C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON | подробности |
