| номер части | IPG20N06S4L26ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 60V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1430pF @ 25V |
| Мощность - макс. | 33W |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 8-PowerVDFN |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8-4 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N04S408AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | подробности |
|
IPG20N04S408ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8 | подробности |
 |
IPG20N04S409ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | подробности |
|
IPG20N04S412AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | подробности |
|
IPG20N04S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | подробности |
|
IPG20N04S4L07AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | подробности |
|
IPG20N04S4L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | подробности |
|
IPG20N04S4L08AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | подробности |
|
IPG20N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | подробности |
|
IPG20N04S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | подробности |
