IPF06N03LA G - Infineon Technologies

номер части	IPF06N03LA G
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 40µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	22nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2653pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	83W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	P-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPF04N03LA	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 50A DPAK	подробности
IPF04N03LA G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 50A DPAK	подробности
IPF05N03LA G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 50A DPAK	подробности
IPF06N03LA G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 50A DPAK	подробности
IPF09N03LA	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 50A DPAK	подробности
IPF09N03LA G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 25V 50A DPAK	подробности