IPD95R750P7ATMA1 - Infineon Technologies

номер части	IPD95R750P7ATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	950V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 220µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	712pF @ 400V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	73W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPD95R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 6A TO252	подробности
IPD95R2K0P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 4A TO252	подробности
IPD95R450P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 14A TO252	подробности
IPD95R750P7ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 950V 9A TO252	подробности