IPD70P04P4L08ATMA1

IPD70P04P4L08ATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPD70P04P4L08ATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET P-CH TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPD70P04P4L08ATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPD70P04P4L08ATMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
54105 pcs
Справочная цена
USD 0.478/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPD70P04P4L08ATMA1

IPD70P04P4L08ATMA1 Подробное описание

номер части IPD70P04P4L08ATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 120µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 92nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5430pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±16V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 75W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 7.8 mOhm @ 70A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3-313
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPD70P04P4L08ATMA1