IPD70N10S3L12ATMA1

IPD70N10S3L12ATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPD70N10S3L12ATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPD70N10S3L12ATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
34711 pcs
Справочная цена
USD 0.7352/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPD70N10S3L12ATMA1

IPD70N10S3L12ATMA1 Подробное описание

номер части IPD70N10S3L12ATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 70A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 83µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 77nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 5550pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 125W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 70A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO252-3
Упаковка / чехол TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPD70N10S3L12ATMA1