| номер части | IPD60R600E6 |
|---|---|
| Статус детали | Discontinued at Digi-Key |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 600V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 7.3A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 440pF @ 100V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 63W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPD600N25N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A | подробности |
|
IPD600N25N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3 | подробности |
 |
IPD60N10S412ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
 |
IPD60N10S4L12ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
|
IPD60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | подробности |
|
IPD60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
|
IPD60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | подробности |
|
IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 | подробности |
|
IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | подробности |
|
IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | подробности |
