| номер части | IPD30N06S215ATMA2 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 55V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 1485pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 136W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 14.7 mOhm @ 30A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 |
| Упаковка / чехол | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD30N03S2L-07 | infineon | IPD30N03S2L-07 infineon TO-252 New Original Stocks | подробности |
|
IPD30N03S2L07ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | подробности |
|
IPD30N03S2L10ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | подробности |
|
IPD30N03S2L20ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | подробности |
|
IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | подробности |
|
IPD30N03S4L09ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | подробности |
|
IPD30N03S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | подробности |
|
IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | подробности |
|
IPD30N06S215ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | подробности |
|
IPD30N06S223ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | подробности |
