IPD082N10N3GBTMA1 Подробное описание
| номер части |
IPD082N10N3GBTMA1 |
| Статус детали |
Obsolete |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
100V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
80A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 75µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
55nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
3980pF @ 50V |
| Vgs (Макс.) |
±20V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
125W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
8.2 mOhm @ 73A, 10V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика |
PG-TO252-3 |
| Упаковка / чехол |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPD082N10N3GBTMA1
