| номер части | IPC100N04S51R7ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 60µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 4810pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 115W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 50A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 |
| Упаковка / чехол | 8-PowerTDFN |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
IPC100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | подробности |
|
IPC100N04S51R2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | подробности |
|
IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | подробности |
|
IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | подробности |
|
IPC100N04S52R8ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON | подробности |
|
IPC100N04S5L1R1ATMA1 | Infineon Technologies | N-CHANNEL_30/40V | подробности |
|
IPC100N04S5L1R5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | подробности |
|
IPC100N04S5L1R9ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN | подробности |
|
IPC100N04S5L2R6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON | подробности |
