• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные › IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPB100N04S4H2ATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPB100N04S4H2ATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPB100N04S4H2ATMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
32870 pcs
Справочная цена
USD 0.8008/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1 Подробное описание

номер части IPB100N04S4H2ATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 70µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 90nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 7180pF @ 25V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 115W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-3-2
Упаковка / чехол TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB100N04S4H2ATMA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
IPB100N04S204ATMA1 IPB100N04S204ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 подробности
IPB100N04S204ATMA4 IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 подробности
IPB100N04S2L03ATMA1 IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 подробности
IPB100N04S2L03ATMA2 IPB100N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 подробности
IPB100N04S3-03 IPB100N04S3-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 подробности
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 подробности
IPB100N04S4H2ATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 подробности
IPB100N06S205ATMA1 IPB100N06S205ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 подробности
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 подробности
IPB100N06S2L05ATMA1 IPB100N06S2L05ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 подробности