| номер части | IPB100N04S4H2ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 40V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 100A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 7180pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Функция FET | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 115W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3-2 |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
IPB100N04S204ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | подробности |
|
IPB100N04S204ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | подробности |
|
IPB100N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | подробности |
|
IPB100N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | подробности |
|
IPB100N04S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | подробности |
|
IPB100N04S303ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 | подробности |
|
IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 | подробности |
|
IPB100N06S205ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | подробности |
|
IPB100N06S205ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | подробности |
|
IPB100N06S2L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 | подробности |
