IPB039N10N3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части	IPB039N10N3GATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	160A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 160µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	117nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	8410pF @ 50V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	214W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7
Упаковка / чехол	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IPB039N04LGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3	подробности
IPB039N10N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7	подробности
IPB039N10N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7	подробности
IPB039N10N3GE8187ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7	подробности