IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части
IPB023N06N3GATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
IPB023N06N3GATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
IPB023N06N3GATMA1.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4078 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1 Подробное описание

номер части IPB023N06N3GATMA1
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 140A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 141µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 198nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 16000pF @ 30V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 214W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TO263-7
Упаковка / чехол TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IPB023N06N3GATMA1