• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Модули › FS900R08A2P2B32BOSA1
FS900R08A2P2B32BOSA1

FS900R08A2P2B32BOSA1 - Infineon Technologies

номер части
FS900R08A2P2B32BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
FS900R08A2P2B32BOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
255 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку FS900R08A2P2B32BOSA1

FS900R08A2P2B32BOSA1 Подробное описание

номер части FS900R08A2P2B32BOSA1
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип IGBT -
конфигурация -
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) -
Ток - коллектор (Ic) (макс.) -
Мощность - макс. -
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic -
Ток - отсечка коллектора (макс.) -
Входная емкость (Cies) @ Vce -
вход -
Термистор NTC -
Рабочая Температура -
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ FS900R08A2P2B32BOSA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
FS900R08A2P2B31BOSA1 FS900R08A2P2B31BOSA1 Infineon Technologies MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1 подробности
FS900R08A2P2B32BOSA1 FS900R08A2P2B32BOSA1 Infineon Technologies MOD HYBRID PACK2 DRIVE HYBRID2-1 подробности