FF1200R17KE3NOSA1 - Infineon Technologies

номер части	FF1200R17KE3NOSA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Single Chopper
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	-
Мощность - макс.	595000W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 1200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	110nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
FF1200030	Diodes Incorporated	CRYSTAL CERAMIC SEAM4025 TR 1K	подробности
FF1200R12IE5BPSA1	Infineon Technologies	MODULE IGBT PRIME2-5	подробности
FF1200R12IE5PBPSA1	Infineon Technologies	MODULE IGBT PRIME2-5	подробности
FF1200R12KE3	EUPEC	IGBT-Modules	подробности
FF1200R12KE3NOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 1200A	подробности
FF1200R17IP5BPSA1	Infineon Technologies	PP IHM I XHP 17KV	подробности
FF1200R17KE3	EUPEC	FF1200R17KE3 EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
FF1200R17KE3B2NOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 1200A	подробности
FF1200R17KE3NOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 1200A	подробности
FF1200R17KP4B2NOSA2	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 1200A	подробности