FD900R12IP4DVBOSA1 - Infineon Technologies

номер части	FD900R12IP4DVBOSA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	900A
Мощность - макс.	5100W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.05V @ 15V, 900A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	54nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	FD900R12IP4DBOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 900A	подробности
	FD900R12IP4DVBOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE VCES 1200V 900A	подробности