FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1 - Infineon Technologies

номер части
FD200R12KE3HOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
FD200R12KE3HOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
1747 pcs
Справочная цена
USD 94.138/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку FD200R12KE3HOSA1

FD200R12KE3HOSA1 Подробное описание

номер части FD200R12KE3HOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT Trench Field Stop
конфигурация Single Chopper
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) -
Мощность - макс. 1050W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ FD200R12KE3HOSA1