F475R07W2H3B51BPSA1 - Infineon Technologies

номер части	F475R07W2H3B51BPSA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Three Phase Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	75A
Мощность - макс.	250W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	1.55V @ 15V, 37.5A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	4.7nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
F475R07W1H3B11ABOMA1	Infineon Technologies	IGBT MODULES	подробности
F475R07W2H3B51BOMA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1	подробности
F475R07W2H3B51BPSA1	Infineon Technologies	MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1	подробности