• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Модули › DF300R12KE3HOSA1
DF300R12KE3HOSA1

DF300R12KE3HOSA1 - Infineon Technologies

номер части
DF300R12KE3HOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT MODULE VCES 650V 300A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
DF300R12KE3HOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
1462 pcs
Справочная цена
USD 112.577/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку DF300R12KE3HOSA1

DF300R12KE3HOSA1 Подробное описание

номер части DF300R12KE3HOSA1
Статус детали Active
Тип IGBT -
конфигурация Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 480A
Мощность - макс. 1470W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 300A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce 21nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ DF300R12KE3HOSA1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
DF300R07PE4B6BOSA1 DF300R07PE4B6BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 650V 300A подробности
DF300R12KE3HOSA1 DF300R12KE3HOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE VCES 650V 300A подробности