DF1000R17IE4BOSA1 - Infineon Technologies

номер части	DF1000R17IE4BOSA1
Статус детали	Active
Тип IGBT	-
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1700V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	-
Мощность - макс.	6250W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.45V @ 15V, 1000A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	81nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

Образ	номер части	Производители	Описание	Посмотреть
	DF1000R17IE4BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 1000A	подробности
	DF1000R17IE4DB2BOSA1	Infineon Technologies	IGBT MODULE 1700V 1000A	подробности