BSZ130N03LS G - Infineon Technologies

номер части	BSZ130N03LS G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	10A (Ta), 35A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	13nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	970pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSZ130N03LS G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8	подробности
BSZ130N03LSG	INFINEON	BSZ130N03LSG INFINEON QFN New Original Stocks	подробности
BSZ130N03LSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8	подробности
BSZ130N03MS G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8	подробности
BSZ130N03MSG	INFINEON	BSZ130N03MSG INFINEON TSSON-.. New Original Stocks	подробности
BSZ130N03MSGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8	подробности