BSZ086P03NS3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части	BSZ086P03NS3GATMA1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	13.5A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 105µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	57.5nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±25V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4785pF @ 15V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSZ086P03NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8	подробности
BSZ086P03NS3E G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8	подробности
BSZ086P03NS3EGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8	подробности
BSZ086P03NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8	подробности