BSM25GP120BOSA1 - Infineon Technologies

номер части	BSM25GP120BOSA1
Статус детали	Not For New Designs
Тип IGBT	-
конфигурация	Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	45A
Мощность - макс.	230W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.55V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	20A
Входная емкость (Cies) @ Vce	1.5nF @ 25V
вход	Three Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	Module
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BSM250D17P2E004	Rohm Semiconductor	HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF	подробности
BSM25GD100D	SEMIKRON	BSM25GD100D SEMIKRON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
BSM25GD120D	SEMIKRON	BSM25GD120D SEMIKRON SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
BSM25GD120DLCE3224	EUPEC	IGBT-Module	подробности
BSM25GD120DN2	EUPEC	IGBT Power Module	подробности
BSM25GD120DN2BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2	подробности
BSM25GD120DN2E3224	EUPEC	BSM25GD120DN2E3224 EUPEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
BSM25GD120DN2E3224BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2	подробности
BSM25GP120	EUPEC	Technical Information IGBT-Modules	подробности
BSM25GP120BOSA1	Infineon Technologies	IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5	подробности