BSM15GD120DN2E3224BOSA1

BSM15GD120DN2E3224BOSA1 - Infineon Technologies

номер части
BSM15GD120DN2E3224BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
2565 pcs
Справочная цена
USD 64.156/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSM15GD120DN2E3224BOSA1

BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Подробное описание

номер части BSM15GD120DN2E3224BOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 25A
Мощность - макс. 145W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 15A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 1nF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSM15GD120DN2E3224BOSA1