BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 - Infineon Technologies

номер части
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
2892 pcs
Справочная цена
USD 56.91/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSM10GD120DN2E3224BOSA1

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Подробное описание

номер части BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Статус детали Not For New Designs
Тип IGBT -
конфигурация Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 15A
Мощность - макс. 80W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 10A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 400µA
Входная емкость (Cies) @ Vce 530pF @ 25V
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол Module
Пакет устройств поставщика Module
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSM10GD120DN2E3224BOSA1