BSF083N03LQ G

BSF083N03LQ G - Infineon Technologies

номер части
BSF083N03LQ G
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSF083N03LQ G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BSF083N03LQ G.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3863 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSF083N03LQ G

BSF083N03LQ G Подробное описание

номер части BSF083N03LQ G
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 13A (Ta), 53A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 18nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1800pF @ 15V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 8.3 mOhm @ 20A, 10V
Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика MG-WDSON-2, CanPAK M™
Упаковка / чехол 3-WDSON
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSF083N03LQ G