BSC159N10LSF G

BSC159N10LSF G - Infineon Technologies

номер части
BSC159N10LSF G
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSC159N10LSF G Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3595 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSC159N10LSF G

BSC159N10LSF G Подробное описание

номер части BSC159N10LSF G
Статус детали Discontinued at Digi-Key
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 72µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 35nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 2500pF @ 50V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 114W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 15.9 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSC159N10LSF G