BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSC123N08NS3GATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSC123N08NS3GATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
275000 pcs
Справочная цена
USD 0.4082/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 Подробное описание

номер части BSC123N08NS3GATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 11A (Ta), 55A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1870pF @ 40V
Vgs (Макс.) ±20V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 33A, 10V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerTDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSC123N08NS3GATMA1